个人简介

姓名：王一

职称学位:高级实验师

研究方向：低维半导体材料

办公地点：崇理楼407

联系方法：ywang16@gzu.edu.cn

主要经历

教育经历：

2015年09月-至今        银河国际网站4556     微电子学与固体电子学 博士在读

2012年09月-2015年06月银河国际网站4556微电子学与固体电子学硕士

2008年09月-2012年06月天津理工大学光信息科学与技术本科

职业经历：

2015年09月-至今银河国际网站4556实验师

主要贡献

主持的科研项目：

[1]2018年秋季银河国际网站4556实验开放项目1项

[2]贵州省大学生创新创业项目1项

参与的科研项目：

[1]国家自然科学基金，低成本AAA 级太阳能模拟器的研究，61604046。

[2]国家自然科学基金，三维有序量子点的可控制备、结构表征与物性研究，61564002。

近期发表的论文：

[1]王一，杨晨，郭祥等，Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火的热力学分析[J]，物理学报，67(2018）:080503

[2]Yi Wang，Wen-zhe Wei，Zhao Ding，Research on the surface morphology of AlxGa1-xAs in molecular beam epitaxy[J]，Appl. Phys. A 122(2016):190

[3]王一，郭祥等，生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响[J]，真空科学与技术学报，Vol.34, No.4(2014)：363-366

[4]王一，黄梦雅等，恒力场下一维粒子运动问题的求解[J]，大学物理，Vol.33,No.1(2014)：22-24

[5]Wen-zhe Wei，Yi Wang，Zhao Ding，Influence of annealing condition and multicycle AlGaAs/GaAs structures on the Al0.26Ga0.74As/GaAs surface morphology[J], Applied Surface Science, 345:400 (2015)

[6]郭祥，王一等，不同应力下的InxGa1-xAs薄膜表面形貌[J]，材料导报，20(1)：21(2015)

授权的国家专利：

[1]王一，丁召等，一种制备扫描隧道显微镜用纯金属探针的装置，专利号：ZL201621133628.X

[2]丁召，王一等，一种制备扫描隧道显微镜的纯钨探针的装置，专利号：ZL201320008970.7

奖励或荣誉:

[1]2017年全国大学生电子设计大赛贵州赛区一等奖1项，二等奖2项，三等奖2项，指导老师。

[2]2018年贵州省大学生电子设计竞赛优秀指导教师

[3]2018年贵州省大学生设计竞赛一等奖1项，二等奖1项