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研究生培养(旧)

邓朝勇老师个人简介



姓名：邓朝勇

职称学位：教授/博士

研究方向：电子功能复合材料

办公地点：博学楼209

联系方法：13985101464

  

教育经历：

1999年09月-2004年06月北京交通大学光电子技术研究所信号与信息处理专业博士研究生（硕博连读）

1995年09月-2004年06月北京交通大学物理系应用物理学专业学习

职业经历：

2015年02月-至今银河国际网站4556党委委员、银河国际网站4556教务处处长

2014年12月-2015年02月银河国际网站4556党委委员、团委书记、第十三届共青团贵州省委常务委员

2013年08月-2014年12月银河国际网站4556团委书记、第十三届共青团贵州省委常务委员

2012年07月-2013年08月银河国际网站4556团委主要负责人、理学院教授、第十三届共青团贵州省委常务委员

2010年03月-2012年07月银河国际网站4556理学院党委委员、电子科学系主任（其间：

2010.05-2010.11 美国加州大学伯克利分校高级研究教授）

2009年01月-2010年03月银河国际网站4556理学院党委委员、电子科学系副主任

2008年11月-2009年01月银河国际网站4556电子科学系副主任（2008年12月评为教授）

2008年04月-2008年11月银河国际网站4556电子科学系校聘教授

2006年04月-2008年04月清华大学材料科学与工程系博士后

2004年07月-2006年04月北京京东方科技集团研发工程师

  

主持的科研项目：

  1. 国家自然科学基金，多铁性逆磁电效应异质结薄膜的制备与性能研究，2018.01.01-2021.12.31，38万元，主持人;

  2. 国家自然科学基金，聚合物/氧化物纳米复合光电薄膜器件中电双稳现象的研究，2015.01-2018.12，47万，主持人；

  3. 贵州省委组织部，贵州省高层次创新型人才百层次人才，2015.01-2017.12，60万，主持人；

  4. 贵州省教育厅，贵州省研究生卓越人才，电子科学与技术专业研究生卓越人才计划，2014.05-2017.05，10万，主持人；

  5. 贵州省教育厅，贵州省电子功能复合材料特色重点实验室，30万，2013.01-2015.12，主持人；

  6. 横向产学研合作项目，LED芯片设计及制造工艺研究，1550万，2011.02-2016.05，主持人

  7. 国家自然科学基金，基于硼化镁超导薄膜的约瑟夫森结及其应用研究，2011.01-2013.12，20万，主持人；

  8. 科技部产业化推广项目，二氧化钌(RuO2)多孔涂层技术在超大容量钽电容器产业化中的应用，2009-2011，40万，主持人；

  9. 贵州省工业攻关重点项目，LED芯片封装关键技术攻关，2012.01-2014.12，80万，主持人；

  10. 贵州省优秀青年科技人才培养计划，多元化合物半导体材料的外延自组装及其特性表征，2009.10-2013.12，16万，主持人；

  11. 贵州省科技创新人才团队项目，新型电子功能材料与器件，2011.01-2013.12，15万，主持人；

  12. 贵阳市工业攻关项目，LED芯片设计及产业化应用，2012.01-2014.12，15万，主持人；

  13. 贵州省高层次人才基金，复合异质外延薄膜的分子束外延生长及性能研究，2008-2011，3万，主持人；

  14. 贵州省自然科学基金，碱土金属铝酸盐的光学特性及其相关系的研究，2008-2010，3万，主持人。

参与的科研项目：

  1. 国家自然科学基金课题，创新研究群体科学基金项目(50621201)，500万元，参与；

  2. 国家自然科学基金，纳米结构铁电－铁磁共存材料的物理机制与形成(10574078)，50万元，已结题，参与。

近期发表的论文：

  1. Qingping Dai, Dongni Wu, Kaixin Guo, Jun Zhang, Min Zhang, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Ferroelectric, dielectric, ferromagnetic and magnetoelectric properties of the multiferroic heteroepitaxial NiFe2O4/Ba0.85Ca0.15Ti0.9Zr0.1O3 composite thin films deposited via PLD[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29(7): 17333-17340. （SCI，通讯作者）

  2. Huang W, Gong X, Cui R, et al. Enhanced persistent luminescence of LiGa5O8: Cr3+ near-infrared phosphors by codoping Sn4+[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29(12): 10535-10541. （SCI，通讯作者）

  3. Huang W, Wu D, Gong X, et al. Cr3+ activated Zn3Al2Ge3O12: a novel near-infrared long persistent phosphor[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29(7): 5275-5281. （SCI，通讯作者）

  4. Gong X, Cui R, Li X, et al. The photoluminescence and afterglow properties of Ca2SnO4: Sm3+ phosphor[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29(7): 5668-5674. （SCI，通讯作者）

  5. Chi Zhang, Chaoyong Deng. Improved preparation technology of color-tunable long afterglow phosphors Sr1.94-xCaxMgSi2O7: Eu2+0.01, Dy3+0.05.Journal of Luminescence, 2017, 192, 310-315. (SCI, 通讯作者)

  6. Xucheng Li, Chaoyong Deng, Fei Long, Liangrong Li, Weichao Huang. Effect of silicon powder content in starting materials on the phase and luminescence properties of SrSi2O2N2: Eu2+ phosphors[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, 28(17): 12551-12554. (SCI, 通讯作者)

  7. Dongni Wu, Chaoyong Deng. Solid-state reaction synthesis and luminescent properties of (Sr(1-y) La2y/3) (1-x) MoO4: xDy3+ phosphors[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, 28(21): 16321-16328. (SCI, 通讯作者)

  8. Chi Zhang, Xinyong Gong, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Improvable luminescent properties by adjusting silicon–calcium stoichiometric ratio in long afterglow phosphors Ca1.94MgSi2O7: Eu2+0.01, Dy3+0.05[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 658, 898-903 (SCI, 通讯作者)

  9. Chi Zhang, Xinyong Gong, Chaoyong Deng. The phase transition of color-tunable long afterglow phosphors Sr1.94-xBaxMgSi2O7: Eu2+0.01,Dy3+0.05[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 657: 436-442 (SCI, 通讯作者)

  10. Dongni Wu, Xinyong Gong, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Luminescence properties of Ca2+ and Si4+ co-doped strontium molybdate red phosphors for white LEDs[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016, 27(9): 9661-9667 (SCI, 通讯作者)

  11. Kaixin Guo, Rongfen Zhang, Tengpeng He, Handong Kong, Chaoyong Deng. Multiferroic and in-plane magnetoelectric coupling properties of BiFeO3 nano-films with substitution of rare earth ions La3+ and Nd3+, Journal of Rare Earths, 2016，34(12): 1228-1234 (SCI, 通讯作者)

  12. Kaixin Guo, Rongfen Zhang, Qingfeng Mou, Ruirui Cui and Chaoyong Deng. Ferroelectric, Dielectric, Ferromagnetic, and Magnetoelectric Properties of BNF-NZF Bilayer Nanofilms Prepared via Sol-Gel Process, Nanoscale Research Letters, 2016，11(1): 387-393 (SCI, 通讯作者)

  13. Fengjuan Shen, Chaoyong Deng, Xu Wang, Chi Zhang, Wei Liu. Effect of Si on near-infrared long persistent phosphor Zn3Ga2Ge2-xSixO10: 2.5% Cr3+[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016, 27(9): 9067-9072. (SCI,通讯作者)

  14. Fengjuan Shen, Chaoyong Deng, Xu Wang, Chi Zhang. Effect of Cr on long-persistent luminescence of near-infrared phosphor Zn3Ga2Ge2O10: Cr3+[J]. Materials Letters, 2016, 178: 185-189. (SCI, 通讯作者)

  15. Ruirui Cui, Xiang Guo, Xingyong Gong, Chaoyong Deng. Enhancing red emission of CaBi2Ta2O9: Eu3+ phosphor by La3+ co-doping[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016, 27(9): 9656–9660 (SCI,通讯作者)

  16. Song Zhang, Xu Wang, Junli Ma, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Fabrication of sandwich-type MgB2/Boron/MgB2 Josephson junctions with rapid annealing method [J].Journal of Alloys and Compounds 2015, 649: 1226-1230 (SCI, 通讯作者)

  17. Xucheng Li, Rongfen Zhang, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Luminescent properties of SrSi2O2N2:Eu2+ by the two-step synthesis [J]. Journal of Alloys and Compounds 2015, 650: 470-474 (SCI, 通讯作者)

  18. Song Zhang, Chao-Yong Deng, Xu Wang, Yan-Ping Wu, Yao Fu, Xing-Hua Fu. Superconducting MgB2 film prepared by chemical vapor deposition at atmospheric pressure of N2 [J]. Thin Solid Films, 2015, 584: 300-304; (SCI, 通讯作者)

  19. Rongfen Zhang , Chaoyong Deng, Li Ren, Zheng Li, Jianping Zhou. Ferroelectric, Ferromagnetic and Magnetoelectric Properties of Multiferroic Ni0.5Zn0.5Fe2O4-BaTiO3 Composite Ceramics[J]. Journal of Electronic Materials, 2014, 43(4): 1043-1047;(SCI, 通讯作者)

  20. Jinlan Li, Chaoyong Deng, Ruirui Cui. Photoluminescence properties of CaBi2Ta2O9: RE3+ (RE=Sm, Tb and Tm) phosphors[J]. Optics Communications, 2014, 326: 6-9; (SCI, 通讯作者)

  21. Ruirui Cui, Chaoyong Deng, Xinyong Gong, Xucheng Li, Jianping Zhou. Photoluminescence properties of a green to red-emitting Eu3+, Tb3+ co-doped CaBi2Ta2O9 ferroelectrics [J]. Journal of Electroceramics, 2014 32(2-3): 215-219;(SCI, 通讯作者)

  22. Ruirui Cui, Chaoyong Deng, Xinyong Gong, Xucheng Li, Jianping Zhou. Luminescence properties of Eu3+ doped CaBi2Ta2O9 bismuth layered-structure ferroelectrics[J]. Materials Research Bulletin, 2013, 48(10): 4301-4306;(SCI, 通讯作者)

  23. Rongfen Zhang, Chaoyong Deng, Li Ren, Zheng Li, and Jianping Zhou. The Giant Dielectric Constant and High Initial Permeability of BaTiO3-Ni0.5Zn0.5Fe2O4 Composite Ceramics[J]. Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 2(9): N165-N168;(SCI, 通讯作者)

  24. Rongfen Zhang, Chaoyong Deng, Li Ren, Zheng Li, and Jianping Zhou. Dielectric, ferromagnetic and maganetoelectric properties of BaTiO3-Ni0.7Zn0.3Fe2O4 composite ceramics [J]. Materials Research Bulletin, 2013, 48(10): 4100-4104 (SCI, 通讯作者)

  25. Ruirui Cui, Chaoyong Deng, Xinyong Gong, Xucheng Li, Jianping Zhou. Luminescent performance of rare earths doped CaBi2Ta2O9 phosphor [J]. Journal of Rare Earths, 2013, 31(6): 546-550;(SCI, 通讯作者)

  26. 李绪诚, 邓朝勇, 龙飞, 李良荣, 吴莘, 龚新勇. Y3+掺杂对Sr1-xCaxSi2O2N2: Eu2+发光性能的影响[J]. 发光学报, 2017, 11: 1450-1456. (EI, 通讯作者)

  27. Wu Dongni, Cui Ruirui, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. Synthesis and Photoluminescence Properties of NaLa0.7(MoO4)2-x(WO4)x: 0.3Eu3+ Novel Red Phosphors [J].Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(3): 274-279;(EI, 通讯作者)

  28. 王肖芳，张弛，邓朝勇. Eu3+掺杂浓度及基质氧空位对 Ca2-xEuxSnO4发光性能的影响[J]发光学报, 2016, 37 (9): 1037-1042; (EI，通讯作者）

  29. 张松, 马军礼, 付尧, 邓朝勇等. 芘掺杂对MgB2薄膜超导性能的影响[J]. 功能材料, 2016, 2(47): 02055-02059;(EI, 通讯作者)

  30. 罗思远, 李绪诚, 崔瑞瑞, 邓朝勇. CaSi2O2N2：Ce3+/Eu2+荧光粉的发光性能研究[J]. 光电子激光, 2015, 26(5): 899-904;(EI, 通讯作者)

  31. Yang Xiaoping, Cui Ruirui, Zhang Chi, Deng Chaoyong. Luminescent properties of a novel near-infrared super-long afterglow material Zn3Al2Ge2O10: Cr3+[J].Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(3): 300-305;(EI, 通讯作者)

  32. Zhang Chi, Cui Ruirui, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. Effects of reducing atmosphere on luminescent properties of persistent luminescence material Sr1.94-xBaxMgSi2O7: Eu0.012+, Dy0.053+[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2014, 25(3): 501-507;(EI, 通讯作者)

  33. Cui Ruirui, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. Synthesis and photoluminescence properties of the Pr3+ doped CaBi2Ta2O9 yellow-emitting phosphors[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2014, 6(25) 1134-1139; (EI, 通讯作者)

  34. Gong Xinyong, Cui Ruirui, Li Liangrong, Deng Chaoyong. Synthesis and photoluminescence properties of Eu2+ activated Ba3Si6O12N2 phosphor for white LED applications[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2014, 25(1): 113-117;(EI, 通讯作者)

  35. Dongni Wu, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Preparation and Photoluminescence Property of Sr0.7Ca0.3-2xMoO4: Eux3+Nax+ Phosphors for white LEDs[J]. Journal of Optoelectronics Laser,2014, 25(8): 1516-1520;(EI, 通讯作者)

  36. Xin Wang, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Photoluminescence properties of CaBi4Ti4O15: Dy3+ for white light-emitting diodes[J]. Current Research on Functional Materials, 2014, 1053: 8-14;(EI，通讯作者）

  37. Ma Yalin, Shi Jian, Li Xucheng, Yang Lizhong, Deng Chaoyong. Effect of substrate temperature on the structure and optical properties of the Ta2O5 thin film[J]. Journal of Functional Materials, 2013, 44(23): 3405-3407;(EI, 通讯作者)

  38. Wu Xin, Li Xucheng, Cui Ruirui, Li Liangrong, Deng Chaoyong. Effects of thermal treatment temperature on photoluminescence properties of Li2SrSiO4: Eu2+ phosphors[J].Journal of Optoelectronics Laser, 2013, 24(5): 956-960;(EI, 通讯作者)

  39. Wu Xia, Li Xucheng, Luo Siyuan, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. A study on the luminescence of different crystallographic sites for Sr2SiO4:Eu2+ phosphors[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2013, 24(11): 2162-2168;(EI, 通讯作者)

  40. 李睿, 龚新勇, 崔瑞瑞, 张弛, 邓朝勇. Eu2+掺杂Sr2(PO4)2磷灰石荧光粉的发光性能研究. 光电子激光, 2016, 27(1): 45-51;(通讯作者)

  41. 马军礼, 张松, 吴艳平, 王旭, 崔瑞瑞, 邓朝勇. 磁控溅射法结合异位退火制备MgB2超导薄膜的研究. 超导技术, 2015, 43(12): 51-66;(通讯作者)

  42. 马军礼,张松, 付尧, 王旭, 邓朝勇. 退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响. 低温与超导, 2015, 43(11): 43-48;(通讯作者)

  43. 刘微, 崔瑞瑞, 邓朝勇.新型近红外超长余辉材料Zn3Ga4GexO9+2x: 1%Cr3+的制备与发光性能研究. 光电子激光, 2016, 27(2): 150-155;(通讯作者)

  44. 张荣芬，郭凯鑫，邓朝勇. 多铁磁电复合材料-功能材料领域的闪亮新星. 银河国际网站4556学报, 2015， 32（5）: 49-65;(通讯作者)

  45. 张田田, 崔瑞瑞, 张弛, 邓朝勇.PLD法制备Ba0.85Ca0.15Ti0.9Zr0.1O3薄膜及其性能研究. 银河国际网站4556学报, 2016, 33(1): 23-27;(通讯作者)

  46. 任丽, 张荣芬, 李峥, 张安邦, 邓朝勇. 复合陶瓷 BaTiO3/Ni0.5Zn0.5Fe2O4的常温巨介电特性研究. 电子元件与材料, 2014: 7, 008;（通讯作者）

  47. 张安邦，祁小四，邓朝勇. 用于铁电BaTiO3薄膜的Ta2O5隔离埋层[J]. 微纳电子技术，2013, 50: 701;（通讯作者）

  48. 吴莘，崔瑞瑞，李绪诚，李良荣，邓朝勇. 助熔剂对Ca0.98Bi2Ta2O9:0.02Pr3+发光性能的影响[J]. 中国稀土学报，2013, 31: 296;（通讯作者）

  49. 杨利忠，李绪诚，吴震，李良荣，邓朝勇. GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片的设计研究[J]. 半导体光电，2013, 34: 212;（通讯作者）

  50. 张锗源，杨发顺，杨法明，张荣芬，邓朝勇. 嵌套式斩波运放的分析与设计[J]. 微电子学，2012, 42: 25;（通讯作者）

  51. 杨法明，杨发顺，丁召，傅兴华，邓朝勇. 高压超结VDMOS结构设计[J]. 固体电子学研究与进展，2012, 32: 298;（通讯作者）

  52. 王常，吴震，邓朝勇. 一种无片外电容 LDO 的瞬态增强电路设计[J]. 电子设计工程，2013, 21: 14;（通讯作者）

  53. 吴震，王常，张荣芬，方波，邓朝勇. 人工耳蜗言语处理系统的CIS算法设计与实现[J]. 集成电路应用，2012, 38: 62;（通讯作者）

  54. 付尧，张松，吴燕平，邓朝勇. MgB2超导材料掺杂研究进展[J]. 材料导报，2013, 27: 19;（通讯作者）

  55. 王洪伟，张松，崔瑞瑞，李绪诚，张荣芬，邓朝勇. 超导MgB2掺杂及薄膜制备研究进展[J]. 材料导报，2012, 26: 28;（通讯作者）

  56. 杨法明, 杨发顺, 张锗源, 李绪诚, 张荣芬, 邓朝勇. 功率VDMOS器件的研究与发展[J]. 微纳电子技术, 2011, 48(10): 623-629;（通讯作者）

  57. 马凯英, 徐慧, 周勋, 丁召, 邓朝勇. 掺稀土钡镁铝酸盐中的能量传递研究[J]. 银河国际网站4556学报: 自然科学版, 2011, 28(3), 24-27;（通讯作者）

  58. 徐慧，马凯英，张荣芬，李绪诚，丁召，邓朝勇. BaO-MgO二元系相图优化计算研究[J]. 金属热处理，2011, 36: 116; （通讯作者）

  59. 吴燕平，张松，付尧，王旭，邓朝勇. 前驱B膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响[J]. 低温与超导，2014, 42(1): 49-64; （通讯作者）

  60. 王新, 崔瑞瑞, 邓朝勇. Pr3+对CaBi4Ti4O15: Eu3+发光性能的影响[J]. 银河国际网站4556学报, 2013, 30(6): 19-22; （通讯作者）

  61. 李金岚, 崔瑞瑞, 邓朝勇. 黄色荧光粉CaBi2Ta2O9: Dy3+的制备及发光性能[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51: 071605; （通讯作者）

  62. 申凤娟, 崔瑞瑞, 黄维超, 邓朝勇. “新型近红外长余辉荧光粉Zn3Ga2(Ge/Si)2O10: Cr3+的制备和性能研究”. 银河国际网站4556学报, 2014, 31(2): 45-48; （通讯作者）

  63. 冷加,崔瑞瑞, 张弛, 邓朝勇. “红色荧光粉Sr1-xBi2Ta2O9: xRE3+（RE=Pr, Eu）的发光性能研究”. 银河国际网站4556学报, 2014, 31(7): 7-10; （通讯作者）

  64. 胡绍璐, 赵海臣, 李林华, 等. 快速热处理中退火温度对 Sol—gel 法制备 PZT 铁电薄膜性能的影响[J]. 信息通信, 2014 (3): 16-18; （通讯作者）

  65. 张荣芬, 房利, 邓朝勇, 等. EDA 软件在《通信原理》仿真中的应用[J]. 吉林省教育学院学报: 上旬, 2014, 30(6): 26-28; （通讯作者）

  

授权的国家专利：

  1. US Patent (美国专利), “TFT-LCD array substrate and manufacturing method thereof”, Chaoyong Deng, Seung Moo Rim,Patent No.: US.7952099 B2；

  2. US Patent (美国专利), “Thin film transistor liquid crystal display array substrate and manufacturing method thereof ”, Chaoyong Deng, Seung Moo Rim, Patent No.: US. 7635616 B2；

  3. KR Patent (韩国专利), “TFT LCD 어레이기판및이를제조하는방법”, Chaoyong Deng, Seung Moo Rim, Patent No.: 10-0898694；

  4. KR Patent (韩国专利), “TFT LCD 어레이기판및이를제조하는방법”, Chaoyong Deng, Seung Moo Rim, Patent No.: 10-0845699；

  5. JP Patent (日本专利), “TFT-LCDアレイ基板製造過程におけるフォトマスク削減技術”, Chaoyong Deng, Seung Moo Rim, Patent No.:2007-294970；

  6. JP Patent (日本专利), “TFT-LCDアレー基板及びその製造方法”, Chaoyong Deng, Seung Moo Rim, Patent No.: 2007-318144；

  7. 一种TFT LCD阵列基板及制造方法（分段式Data线），邓朝勇，林承武，专利号：ZL.200610074458.7；

  8. 一种TFT LCD阵列基板及其制造方法(4Mask制造技术)，邓朝勇，林承武，专利号：ZL. 200610074457.2；

  9. 一种TFT LCD阵列基板及其制造方法(减少掩膜板数至3Mask)，邓朝勇，林承武，专利号：ZL. 200610080641.8；

  10. 一种TFT LCD阵列基板及其制造方法(减少掩膜板数至3Mask)，邓朝勇，林承武，专利号：ZL. 200610080640.3；

  11. 一种降低跳变电压的薄膜晶体管器件，龙春平，邓朝勇，林承武，专利号：ZL.200510103299.4；

  12. 一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法，邓朝勇，杨利忠，杨小平，胡绍璐，雷远清，专利号：ZL.201110367855.4；

  13. 大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法，邓朝勇，杨利忠，李绪诚，张荣芬，专利号：ZL.201110214627.3；

  14. 复合电极超级电容器及其制备方法，邓朝勇，石健，马亚林，崔瑞瑞，专利号：ZL.201110224070.1；

  15. 叠片式金属化薄膜电容及其制备方法，邓朝勇，马亚林，石健，张安邦，专利号：ZL.201110386265.6；

  16. 一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，邓朝勇，杨利忠，雷远清，杨小平，胡绍璐，专利号：ZL.201110367504.3；

  17. 发光二极管阵列芯片结构及其制备方法，邓朝勇，李绪诚，王新，张安邦，杨利忠，专利号：ZL.201210065483.4；

  18. 一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，邓朝勇，杨利忠，胡绍璐，杨小平，雷远清，专利号：ZL.201110367494.3；

  19. 利用LED芯片发射圆偏振光的方法及产品及其制备方法，邓朝勇，张荣芬，杨利忠，李绪诚，专利号：ZL.201110190102.0；

  20. 高性能薄膜电阻，邓朝勇，雷远清，崔瑞瑞，张荣芬，专利号：ZL.201120217033.3；

  21. 发射圆偏振光的LED芯片，邓朝勇，张荣芬，杨利忠，李绪诚，专利号：ZL.201120238700.6；

  22. 金属薄膜电容，邓朝勇，马亚林，石健，崔瑞瑞，专利号：ZL.201120283891.8；

  23. 复合电极超级电容器，邓朝勇，石健，马亚林，崔瑞瑞，专利号：ZL.201120283893.7；

  24. 一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，邓朝勇，杨利忠，胡绍璐，杨小平，雷远清，专利号：ZL.201120459721.0；

  25. 一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板，邓朝勇，杨利忠，雷远清，杨小平，胡绍璐，专利号：ZL.201120459784.6；

  26. 一种TFT-LED彩色阵列显示基板，邓朝勇，杨利忠，杨小平，胡绍璐，雷远清，专利号：ZL.201120460248.8；

  27. 叠片式金属化薄膜电容，邓朝勇，马亚林，石健，张安邦，专利号：ZL.201120483546.9；

  28. 阵列式真彩发光二极管芯片，邓朝勇，李绪诚，王新，张安邦，杨利忠，专利号：ZL.201220093411.6；

  29. 高发光效率白色LED荧光灯，邓朝勇，杨利忠，王新，专利号：ZL.201220331978.2；

  30. 高散热效率LED光源，邓朝勇，王新，杨利忠，专利号：ZL.201220331983.3；

  31. 倒装阵列LED芯片，邓朝勇，杨利忠，李绪诚，张荣芬，专利号：ZL.201120337670.4；

  32. 大功率倒装阵列LED芯片，邓朝勇，杨利忠，李绪诚，张荣芬，专利号：ZL.201120399059.4；

  33. 带散热结构的封装LED光源及其制备方法，邓朝勇，王新，杨利忠，专利号：ZL.201210237296.X；

  34. 白色LED荧光灯的结构及其制备方法，邓朝勇，杨利忠，王新 2012专利号：ZL.2012102377294.0；

  35. 高性能薄膜电阻及其制备方法，邓朝勇，雷远清，崔瑞瑞，张荣芬，专利号：ZL.201110172418.7；

  36. 金属薄膜电容及其制备方法，邓朝勇，马亚林，石健，崔瑞瑞，专利号：ZL.201110224068.4；

可控功率倒装阵列LED芯片及其制造方法，邓朝勇，杨利忠，李绪诚，张荣芬，专利号：ZL.201110214740.1；

奖励或荣誉:

  1. 2009年贵州省“优秀青年科技人才支持计划”人选；

  2. 2010年贵州省“新型功能材料与器件科技人才创新团队”领衔人；

  3. 2011年银河国际网站4556学科学术带头人；

  4. 2013年贵州省教学成果奖二等奖获得者；

  5. 2014年贵州省省管专家；

  6. 2014年贵州省高层次创新型人才百层次人才;

  7. 2014年贵州省优秀科技工作者;

  8. 2014年全国优秀科技工作者。





发布日期： 2014-10-13
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